Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V - 2SA949

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V - 2SA949
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Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V - 2SA949. Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Función: audio/vídeo. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Spec info: 9 mm de altura. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 15/05/2025, 04:25.

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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Nota: 9mm. Marcado en la caja: A1145 O. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2705. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 220. Ganancia mínima de hFE: 130. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: A1123. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo cepilladora epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 220. Ganancia mínima de hFE: 130. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: A1123. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo cepilladora epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V
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