Transistor NPN 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V

Transistor NPN 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.05€
5-9
1.88€
10-24
1.79€
25-49
1.68€
50+
1.55€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 22

Transistor NPN 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 120 MHz. Función: Proceso PCT. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 80. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2235-Y. Tecnología: Tipo epitaxial. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 07:35

Documentación técnica (PDF)
2SA965
23 parámetros
Corriente del colector
0.8A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92M ( 9mm )
Tensión colector/emisor Vceo
120V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
120 MHz
Función
Proceso PCT
Ganancia máxima de hFE
240
Ganancia mínima de hFE
80
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.9W
Spec info
transistor complementario (par) 2SC2235-Y
Tecnología
Tipo epitaxial
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
120V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Toshiba

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