Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123S

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123S
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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123S. Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 140. Nota: serigrafía/código SMD BF. Marcado en la caja: BF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación . Spec info: transistor complementario (par) 2SD1623S. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.

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Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 36pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: NF, lo-sat. Ganancia máxima de hFE: 270. Ganancia mínima de hFE: 120. Ic (pulso): 5A. Marcado en la caja: AG*. Equivalentes: LG 0TRRH80034A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC4672. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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