Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T
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1 - 4 1.08€ 1.31€
5 - 9 1.02€ 1.23€
10 - 24 0.97€ 1.17€
25 - 49 0.92€ 1.11€
50 - 99 0.90€ 1.09€
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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T. Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Nota: serigrafía/código SMD BF. Marcado en la caja: BF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Función: Controladores de potencia media, solenoides, relés y actuadores y módulos CC/CC. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1623T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.

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2SA1213Y

2SA1213Y

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (seg...
2SA1213Y
Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): 2-5K1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 40pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: NY. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía / código SMD NY. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SA1213Y
Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): 2-5K1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 40pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: NY. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía / código SMD NY. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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