Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T
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1 - 4 1.08€ 1.31€
5 - 9 1.02€ 1.23€
10 - 24 0.99€ 1.20€
25 - 49 0.97€ 1.17€
50 - 99 0.95€ 1.15€
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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T. Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Controladores de potencia media, solenoides, relés y actuadores y módulos CC/CC. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Nota: serigrafía/código SMD BF. Marcado en la caja: BF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1623T. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Producto original del fabricante Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 16:25.

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2SA1213Y

2SA1213Y

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (seg...
2SA1213Y
Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): 2-5K1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: NY. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: serigrafía / código SMD NY. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V
2SA1213Y
Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): 2-5K1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: NY. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: serigrafía / código SMD NY. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V
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