Transistor NPN, soldadura de PCB, D17/C, 50mA - 2SC2632
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.65€ | 0.79€ |
| 5 - 9 | 0.62€ | 0.75€ |
| 10 - 24 | 0.59€ | 0.71€ |
| 25 - 49 | 0.56€ | 0.68€ |
| 50 - 99 | 0.54€ | 0.65€ |
| 100 - 249 | 0.53€ | 0.64€ |
| 250+ | 0.50€ | 0.61€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.65€ | 0.79€ |
| 5 - 9 | 0.62€ | 0.75€ |
| 10 - 24 | 0.59€ | 0.71€ |
| 25 - 49 | 0.56€ | 0.68€ |
| 50 - 99 | 0.54€ | 0.65€ |
| 100 - 249 | 0.53€ | 0.64€ |
| 250+ | 0.50€ | 0.61€ |
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Transistor NPN, soldadura de PCB, D17/C, 50mA - 2SC2632. Transistor NPN, soldadura de PCB, D17/C, 50mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D17/C. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 150V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.75W. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.
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Transistor NPN, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 0.14A. Viviend...
Transistor NPN, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 0.14A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Velocidad de conmutación rápida. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.1us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1209. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Transistor NPN, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 0.14A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 180V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Función: Velocidad de conmutación rápida. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.1us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1209. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC2910
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Vivienda: soldadura de PCB. Viv...
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 70mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SC2910. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 180V/160V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 400. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.08V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 70mA. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): 140mA. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1208
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 70mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SC2910. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 180V/160V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 400. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.08V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 70mA. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): 140mA. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1208
KSC2310-Y
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Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Costo): 3.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: C2310 Y. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Costo): 3.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: C2310 Y. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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