Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR. Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 700. Ganancia mínima de hFE: 200. Nota: serigrafía/código SMD DG. Marcado en la caja: DG. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1163. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 300mV. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 30/06/2025, 19:25.