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Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717

Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717
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Transistor NPN, 21A, 700V - 2SC5717. Transistor NPN, 21A, 700V. Corriente del colector: 21A. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Nota: Vce(sat) 3Vmax. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 15A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Ultrahigh-Definition CRT Display. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 35A. Marcado en la caja: C5302. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V. Spec info: velocidad rápida (tf=100ns tipo)
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Transistor NPN, 15A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 15A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PML. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Ultrahigh-Definition CRT Display. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 35A. Marcado en la caja: C5302. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V. Spec info: velocidad rápida (tf=100ns tipo)
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