Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396
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1 - 4 2.12€ 2.57€
5 - 9 2.02€ 2.44€
10 - 24 1.91€ 2.31€
25 - 49 1.80€ 2.18€
50 - 99 1.55€ 1.88€
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396. Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 55pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Ganancia máxima de hFE: 2000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.

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2SC4495

2SC4495

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vi...
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): FM20 (TO220F). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Función: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Tecnología: Transistor planar triple difuso NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC4495
Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): FM20 (TO220F). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Función: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Tecnología: Transistor planar triple difuso NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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