Cantidad (Conjunto de 10) | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.41€ | 0.50€ |
5 - 9 | 0.39€ | 0.47€ |
10 - 24 | 0.37€ | 0.45€ |
25 - 49 | 0.39€ | 0.47€ |
50 - 99 | 0.46€ | 0.56€ |
100 - 149 | 0.43€ | 0.52€ |
150 - 964 | 0.41€ | 0.50€ |
Cantidad (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.41€ | 0.50€ |
5 - 9 | 0.39€ | 0.47€ |
10 - 24 | 0.37€ | 0.45€ |
25 - 49 | 0.39€ | 0.47€ |
50 - 99 | 0.46€ | 0.56€ |
100 - 149 | 0.43€ | 0.52€ |
150 - 964 | 0.41€ | 0.50€ |
Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V - BC557C. Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: transistor PNP. Resistencia BE: -50V. C(pulg): 10pF. Costo): 3.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.65V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) BC547C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 20:25.
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