Cantidad (Conjunto de 10) | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.33€ | 0.40€ |
5 - 9 | 0.32€ | 0.39€ |
10 - 24 | 0.30€ | 0.36€ |
25 - 49 | 0.28€ | 0.34€ |
50 - 99 | 0.27€ | 0.33€ |
100 - 149 | 0.25€ | 0.30€ |
150 - 2395 | 0.23€ | 0.28€ |
Cantidad (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.33€ | 0.40€ |
5 - 9 | 0.32€ | 0.39€ |
10 - 24 | 0.30€ | 0.36€ |
25 - 49 | 0.28€ | 0.34€ |
50 - 99 | 0.27€ | 0.33€ |
100 - 149 | 0.25€ | 0.30€ |
150 - 2395 | 0.23€ | 0.28€ |
Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V - BC847C. Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Costo): 4.5pF. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 250. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.225W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Spec info: serigrafía/código SMD 1G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 21:25.
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