Cantidad (Conjunto de 10) | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.29€ | 0.35€ |
5 - 9 | 0.27€ | 0.33€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
100 - 149 | 0.21€ | 0.25€ |
150 - 25159 | 0.20€ | 0.24€ |
Cantidad (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.29€ | 0.35€ |
5 - 9 | 0.27€ | 0.33€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
100 - 149 | 0.21€ | 0.25€ |
150 - 25159 | 0.20€ | 0.24€ |
Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Costo): 4.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 475. Ganancia mínima de hFE: 220. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3B. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.065V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía/código SMD 3B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.
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