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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B
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Cantidad (Conjunto de 10) sin IVA IVA incl.
1 - 4 0.29€ 0.35€
5 - 9 0.27€ 0.33€
10 - 24 0.26€ 0.31€
25 - 49 0.24€ 0.29€
50 - 99 0.23€ 0.28€
100 - 149 0.21€ 0.25€
150 - 25159 0.20€ 0.24€
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1 - 4 0.29€ 0.35€
5 - 9 0.27€ 0.33€
10 - 24 0.26€ 0.31€
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Cantidad en inventario : 251583
Conjunto de 10

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Costo): 4.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 475. Ganancia mínima de hFE: 220. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3B. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.065V. Velocidad: 5V. Spec info: serigrafía/código SMD 3B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.

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