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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V - BCP51-16

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V - BCP51-16
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10 - 24 0.21€ 0.25€
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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V - BCP51-16. Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 145 MHz. Función: Aplicaciones de audio, telefonía y automoción. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: BCP51/16. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.35W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BCP54-16. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante Nxp Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 09/06/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150MHz. Función: Aplicaciones de audio, telefonía y automoción. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: BCP 5316. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BCP56-16. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V
BCP53-16
Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150MHz. Función: Aplicaciones de audio, telefonía y automoción. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: BCP 5316. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BCP56-16. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V
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