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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD237

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD237
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1 - 9 0.50€ 0.61€
10 - 24 0.47€ 0.57€
25 - 49 0.32€ 0.39€
50 - 99 0.30€ 0.36€
100 - 249 0.29€ 0.35€
250 - 499 0.28€ 0.34€
500 - 703 0.27€ 0.33€
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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD237. Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-126. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. Corriente del colector: 2A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BD237. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Disipación máxima Ptot [W]: 25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complementario (par) BD238. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 00:25.

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BD237-CDIL

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Transistor NPN, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 2A. Vivienda (segÃ...
BD237-CDIL
Transistor NPN, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 2A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complementario (par) BD238. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 2A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 6A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complementario (par) BD238. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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