Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220 - BDX53C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220 - BDX53C. Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Vivienda: TO220. RoHS: sí. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 12A. Nota: transistor complementario (par) BDX54C. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistores Darlington de potencia complementaria. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 60W. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 750. Voltaje de base coleccionista VCBO: 100V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ancho de banda MHz: TO-220. Corriente máxima 1: 8A. Max, Voltaje IGBT VRSM: silicio. Información: 20 MHz. Serie: BDX53. MSL: +150°C. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 03:25.