Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2525DX

Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2525DX
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5 - 9 2.65€ 3.21€
10 - 24 2.51€ 3.04€
25 - 27 2.37€ 2.87€
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Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2525DX. Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 12A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3P(H)IS. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 145pF. Material semiconductor: silicio. Función: CTV-HA Hi-re. Ic (pulso): 30A. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.1V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 16:25.

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Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 12A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-399. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA hi-re (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1
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Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 12A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-399. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA hi-re (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Cantidad por caja: 1
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Transistor NPN, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 12A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PMLH. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 11. Ganancia mínima de hFE: 3. Ic (pulso): 36A. Marcado en la caja: C5696. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Resistencia BE: sí. Diodo CE: sí
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Transistor NPN, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 12A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PMLH. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 11. Ganancia mínima de hFE: 3. Ic (pulso): 36A. Marcado en la caja: C5696. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Resistencia BE: sí. Diodo CE: sí
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