Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT12AF
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.48€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.25€ |
| 10 - 18 | 3.33€ | 4.03€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.70€ | 4.48€ |
| 5 - 9 | 3.51€ | 4.25€ |
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Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT12AF. Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 23W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 21:25.
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Resistencia BE: 50. Costo): 156pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 13 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 18. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(mín.): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.83V. Velocidad: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí
Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Resistencia BE: 50. Costo): 156pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 13 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 18. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(mín.): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.83V. Velocidad: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí
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