Transistor NPN, 0.15A, 60V - KSA733-Y

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Resistencia B: transistor PNP. Resistencia BE: -50V. C(pulg): -0.1A. Costo): 1W. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 280 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 0.5A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Velocidad: 5V