Transistor NPN KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V

Transistor NPN KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.82€
5-9
1.59€
10-24
1.42€
25-99
1.29€
100+
1.11€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 73

Transistor NPN KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Costo): 35pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 9 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 150. Ic (pulso): -. Marcado en la caja: B1366-G. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) KSD2012. Tecnología: Silicon PNP Triple Diffused Type. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Velocidad: 7V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:38

Documentación técnica (PDF)
KSB1366GTU
25 parámetros
Corriente del colector
3A
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Tensión colector/emisor Vceo
60V
Cantidad por caja
1
Costo)
35pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
9 MHz
Ganancia máxima de hFE
320
Ganancia mínima de hFE
150
Marcado en la caja
B1366-G
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
25W
Spec info
transistor complementario (par) KSD2012
Tecnología
Silicon PNP Triple Diffused Type
Temperatura de funcionamiento
-55°C a +150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.4V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
60V
Velocidad
7V
Producto original del fabricante
Fairchild

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