Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 2A, 30 v - KSC2328A-Y

Transistor NPN, 2A, 30 v - KSC2328A-Y
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 1.37€ 1.66€
5 - 9 1.30€ 1.57€
10 - 24 1.26€ 1.52€
25 - 49 1.23€ 1.49€
50 - 99 1.20€ 1.45€
100 - 249 1.16€ 1.40€
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Transistor NPN, 2A, 30 v - KSC2328A-Y. Transistor NPN, 2A, 30 v. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Resistencia B: 10. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 10. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Tipo de transistor: NPN. Producto original del fabricante Samsung. Cantidad en stock actualizada el 01/07/2025, 12:25.

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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 4A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SB892. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor Darlington de silicio plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 6V
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