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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O
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1 - 4 2.22€ 2.69€
5 - 9 2.11€ 2.55€
10 - 24 2.04€ 2.47€
25 - 49 2.00€ 2.42€
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O. Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 60pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 10A. Marcado en la caja: KSC5027 (O). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Producto original del fabricante Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 01/07/2025, 12:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: conmutación rápida de alto voltaje, para conmutar fuentes de alimentación. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 720 ns. Tf(mín.): 450 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 9V
BUL216
Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: conmutación rápida de alto voltaje, para conmutar fuentes de alimentación. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 720 ns. Tf(mín.): 450 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 9V
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