Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018

Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018
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Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018. Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 20mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 800 MHz. Función: FM-V/M/O. Ganancia máxima de hFE: 198. Ganancia mínima de hFE: 40. Marcado en la caja: 15.8k Ohms. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Velocidad: 4 v. Producto original del fabricante Korea Electronics Semi.. Cantidad en stock actualizada el 12/08/2025, 14:08.

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Transistor NPN, TO-92, TO-92, 40V, 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Corriente del colector: 100mA. RoHS: sí. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Construcción de matriz plana epitaxial . Tf(máx.): 75 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 8pF. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: Transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100
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