Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.19€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.09€ |
25 - 49 | 0.88€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.04€ |
100 - 117 | 0.75€ | 0.91€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.19€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.09€ |
25 - 49 | 0.88€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.04€ |
100 - 117 | 0.75€ | 0.91€ |
Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V - MJD44H11T4G. Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): DPAK CASE 369C. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 85 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: 44H11G. Equivalentes: MJD44H11G, MJD44H11J. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJD45H11T4G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tf (tipo): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 06:25.
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