Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.04€ | 1.26€ |
5 - 9 | 0.99€ | 1.20€ |
10 - 24 | 0.96€ | 1.16€ |
25 - 49 | 0.94€ | 1.14€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.11€ |
100 - 151 | 0.80€ | 0.97€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.04€ | 1.26€ |
5 - 9 | 0.99€ | 1.20€ |
10 - 24 | 0.96€ | 1.16€ |
25 - 49 | 0.94€ | 1.14€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.11€ |
100 - 151 | 0.80€ | 0.97€ |
Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V - MJD45H11T4G. Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): DPAK CASE 369C. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 85 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: 45H11G. Equivalentes: MJD45H11G, MJD45H11J. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJD45H11T4G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tf (tipo): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 05:25.
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