Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V - MJE15030G

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V - MJE15030G
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1 - 4 2.24€ 2.71€
5 - 9 2.12€ 2.57€
10 - 24 2.06€ 2.49€
25 - 49 2.01€ 2.43€
50 - 99 1.97€ 2.38€
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V - MJE15030G. Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Voltaje colector-emisor VCEO: 150V. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE15031G. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 50W. Frecuencia máxima: 30MHz. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 01/07/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (se...
MJE15030
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE15031. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE15031. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V
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MJE15032G

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Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V, 250V, 8A. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A]...
MJE15032G
Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V, 250V, 8A. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Voltaje colector-emisor VCEO: 250V. Corriente del colector: 8A. RoHS: sí. Marcado del fabricante: MJE15032G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 30 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementario (par) MJE15033. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 50W. Frecuencia máxima: 30MHz
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Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V, 250V, 8A. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Voltaje colector-emisor VCEO: 250V. Corriente del colector: 8A. RoHS: sí. Marcado del fabricante: MJE15032G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 30 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementario (par) MJE15033. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 50W. Frecuencia máxima: 30MHz
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