Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V - MJE15035G

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V - MJE15035G. Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Nota: transistor complementario (par) MJE15034G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 15:25.