Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE200G

Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE200G. Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 80pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 65MHz. Ganancia máxima de hFE: 180. Ganancia mínima de hFE: 45. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 8V. Spec info: transistor complementario (par) MJE210. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 17:25.