Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE200G

Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V - MJE200G. Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 65MHz. Ganancia máxima de hFE: 180. Ganancia mínima de hFE: 45. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementario (par) MJE210. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 8V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 01/07/2025, 05:25.