Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V - MJW3281AG

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Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V - MJW3281AG. Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Costo): 2.8pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Transistor de potencia bipolar complementario. Fecha de producción: 201444 201513. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 50. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Tecnología: Transistor bipolar de potencia. Spec info: transistor complementario (par) MJW1302A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 23:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Tensión colector/emisor Vceo: 260V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: Transistor de potencia bipolar complementario. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 45. Ic (pulso): 25A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJL1302A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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