Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.5A, 30 v - MPSA13

Transistor NPN, 0.5A, 30 v - MPSA13
Cantidad (Conjunto de 5) sin IVA IVA incl.
1 - 2 0.87€ 1.05€
3 - 4 0.83€ 1.00€
5 - 9 0.78€ 0.94€
10 - 19 0.74€ 0.90€
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Transistor NPN, 0.5A, 30 v - MPSA13. Transistor NPN, 0.5A, 30 v. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 10000. Ganancia mínima de hFE: 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Tecnología: transistor Darlington. Tf(mín.): 125 MHz. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 23:25.

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Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 125 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 10000. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor Darlington. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V. Número de terminales: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MPSA14
Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 125 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 10000. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor Darlington. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V. Número de terminales: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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