Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V - SS8050CTA

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Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V - SS8050CTA. Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 (Ammo-Pack). Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Costo): 9pF. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: S8050 C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 05:25.

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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Ic (pulso): 4A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor Darlington de silicio plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2SB892. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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