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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V - ZTX450

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V - ZTX450
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50 - 99 0.85€ 1.03€
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V - ZTX450. Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementario (par) ZTX550. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante Diodes Inc.. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 07:25.

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BC337-25

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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (se...
BC337-25
Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 210 MHz. Ganancia máxima de hFE: 630. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V
BC337-25
Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 210 MHz. Ganancia máxima de hFE: 630. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V
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BC639-16

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según...
BC639-16
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. Spec info: transistor complementario (par) BC640-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. Spec info: transistor complementario (par) BC640-16. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V
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BC639

BC639

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92...
BC639
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC639. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) BC640. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V
BC639
Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC639. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: transistor complementario (par) BC640. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V
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BC33725

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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (se...
BC33725
Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 1A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC327-25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 5V
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ZTX451

ZTX451

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según...
ZTX451
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementario (par) ZTX551. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.35V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementario (par) ZTX551. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.35V. Velocidad: 5V
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