Varios circuitos de memoria

Número de terminales: 28. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-28

Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8

Función: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Marcado en la caja: 2DC. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8 ( 8S1 ). Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. VCC: 1.7...5.5V. Tensión de alimentación: 6.25V. Nota: 1000000 Cycles (25°C, Page Mode, 3.3V). Nota: fSCL--1.7V 400KHz, 2.5-5.5V 1MHz. Nota: guarda datos durante 40 años

Función: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8 ( 8S1 ). Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. VCC: 1.7...3.6V. Spec info: 64kx8bit I2C

Función: Memoria EEPROM de 16 Kbits. Nota: high speed clock. Nota: 4.5V...5.5V max 20MHz. Nota: 2.5V...5.5V max 10MHz. Nota: 1.8V...5.5V, 5MHz max. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. VCC: 1.8...5.5V. Spec info: 1.000.000 de ciclos de escritura, retención de datos de 100 años

Función: OTP-EPROM. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V. Número de terminales: 28. Vivienda (según ficha técnica): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm)

Acondicionamiento: tubo de plástico. Marcado en la caja: 93C46P. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. VCC: 1.8...5.5V

Marcado en la caja: 24C164LI. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Marcado en la caja: 24C64F. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Marcado en la caja: 24C64F. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Nota: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Nota: SRAM. Serie: CMOS

Alimentación de tensión: 5V. Función: Memoria RAM estática 2K x 8 CMOS. Spec info: 120ns access time

Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 11. Número de terminales: 32. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-32. Temperatura de funcionamiento: 0...+70°C. VCC: 4.5...5.5V. Tensión de alimentación: 6V. Nota: CMOS de bajo consumo. Nota: Con batería de respaldo

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Tipo de memoria: SRAM +RTC. Familia de circuitos de memoria: DS13. Tamaño de memoria [byte]: 64 Byte. Configuración de memoria: 64x8-bit. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 100kHz. Tipo de interfaz: interfaz serie, bus I2C. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP16. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 16. Familia de circuitos de memoria: DS24. Tamaño de memoria [byte]: 4 Kbit. Configuración de memoria: 16x256-bit. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus serie.. Tipo de interfaz: interfaz serie, 1 cable / 3 cables . Tensión de alimentación mínima (V): +2.8V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO16W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 16. Familia de circuitos de memoria: DS24. Tamaño de memoria [byte]: 4 Kbit. Configuración de memoria: 16x256-bit. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus serie.. Tipo de interfaz: interfaz serie, 1 cable / 3 cables . Tensión de alimentación mínima (V): +2.8V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8

Nota: SAMSUNG TXT. Nota: CMOS S-RAM. Vivienda: DIP

Función: Memoria. Número de terminales: 8:1. Tipo de memoria: NOR Flash. Memoria de almacenamiento del programa: 1Mbit. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Serie: memoria FLASH . Fuente de alimentación: 2.7...3.6V. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SOP8. Frecuencia de funcionamiento: 80MHz. Temperatura de funcionamiento: -40...85°C. Entradas/salidas: Dual I/O, SPI

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: PLCC32. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Tipo de memoria: FIFO. Familia de circuitos de memoria: 72. Tamaño de memoria [byte]: 512x9-bit. Configuración de memoria: 512x9-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 35 ns. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: PLCC32. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Tipo de memoria: Dualport RAM. Familia de circuitos de memoria: 72. Tamaño de memoria [byte]: 32K x 9-bit. Configuración de memoria: 32K x 9-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C. Señal de reloj máxima (MHz): 25 ns. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V

Marcado en la caja: IS62C256AL. Número de terminales: 28. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-28. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO16. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 16. Tipo de memoria: Memoria analógica de grabación de audio.. Familia de circuitos de memoria: ISD. Tamaño de memoria [byte]: 32 sec. Configuración de memoria: 1 x 32s. Tipo de interfaz: I/O-pin. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 12kHz. Tensión de alimentación mínima (V): +2.4V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V