Varios circuitos de memoria

Función: Memoria EEPROM de 16 Kbits. Nota: high speed clock. Nota: 4.5V...5.5V max 20MHz. Nota: 2.5V...5.5V max 10MHz. Nota: 1.8V...5.5V, 5MHz max. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Spec info: 1.000.000 de ciclos de escritura, retención de datos de 100 años. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. VCC: 1.8...5.5V

Serie: n/a. Tipo de memoria: FLASH - NOR. Interfaz: SPI. Frecuencia de reloj: n/a. Tiempo de acceso: 900ns. Escribir el tiempo del ciclo: n/a. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. Tipo de montaje: SMD. Vivienda: SO8. Información: n/a. MSL: n/a

Función: OTP-EPROM. Número de terminales: 28. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm). Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

Serie: n/a. Tipo de memoria: FLASH - NOR. Interfaz: SPI. Frecuencia de reloj: n/a. Tiempo de acceso: 200ns. Escribir el tiempo del ciclo: n/a. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. Tipo de montaje: SMD. Vivienda: SO8. Información: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Tipo de memoria: FLASH - NOR. Interfaz: SPI. Frecuencia de reloj: n/a. Tiempo de acceso: 200ns. Escribir el tiempo del ciclo: n/a. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. Tipo de montaje: SMD. Vivienda: SO8. Información: n/a. MSL: n/a

Acondicionamiento: tubo de plástico. Marcado en la caja: 93C46P. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. VCC: 1.8...5.5V

Nota: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marcado en la caja: 24C164LI. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Nota: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Nota: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marcado en la caja: 24C64F. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Nota: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marcado en la caja: 24C64F. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Nota: SRAM. Serie: CMOS

Función: Memoria RAM estática 2K x 8 CMOS. Spec info: 120ns access time. Alimentación de tensión: 5V

Serie: n/a. Tipo de memoria: SRAM - Asynchronous. Interfaz: Paralelo. Frecuencia de reloj: n/a. Tiempo de acceso: 45ns. Escribir el tiempo del ciclo: n/a. Alimentación de tensión: 4.5-5.5V. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. Tipo de montaje: SMD. Vivienda: SOP32. Información: n/a. MSL: n/a

Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 11. Nota: CMOS de bajo consumo. Nota: Con batería de respaldo. Número de terminales: 32. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-32. Temperatura de funcionamiento: 0...+70°C. VCC: 4.5...5.5V. Tensión de alimentación: 6V

RoHS: sí. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Tipo de memoria: SRAM +RTC. Familia de circuitos de memoria: DS13. Tamaño de memoria [byte]: 64 Byte. Configuración de memoria: 64x8-bit. Señal de reloj máxima (MHz): 100kHz. Tipo de interfaz: interfaz serie, bus I2C. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP16. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 16. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus serie.. Familia de circuitos de memoria: DS24. Tamaño de memoria [byte]: 4 Kbit. Configuración de memoria: 16x256-bit. Señal de reloj máxima (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Tipo de interfaz: interfaz serie, 1 cable / 3 cables . Tensión de alimentación mínima (V): +2.8V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C

RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO16W. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 16. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus serie.. Familia de circuitos de memoria: DS24. Tamaño de memoria [byte]: 4 Kbit. Configuración de memoria: 16x256-bit. Señal de reloj máxima (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Tipo de interfaz: interfaz serie, 1 cable / 3 cables . Tensión de alimentación mínima (V): +2.8V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +85°C

Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8

Nota: SAMSUNG TXT. Nota: CMOS S-RAM. Vivienda: DIP

Serie: n/a. Tipo de memoria: FRAM. Interfaz: I2C. Frecuencia de reloj: n/a. Escribir el tiempo del ciclo: n/a. Alimentación de tensión: 4.5-5.5V. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. Tipo de montaje: SMD. Vivienda: SO8. Información: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Tipo de memoria: FRAM. Interfaz: I2C. Frecuencia de reloj: n/a. Escribir el tiempo del ciclo: n/a. Alimentación de tensión: 4.5-5.5V. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. Tipo de montaje: SMD. Vivienda: SO8. Información: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Tipo de memoria: FRAM. Tamaño de la memoria: 64Kbit (8Kx8). Interfaz: I2C. Frecuencia de reloj: n/a. Escribir el tiempo del ciclo: n/a. Alimentación de tensión: 4.5-5.5V. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. Tipo de montaje: SMD. Vivienda: SO8. Información: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Tipo de memoria: FRAM. Tamaño de la memoria: 64Kbit (8Kx8). Interfaz: I2C. Frecuencia de reloj: n/a. Escribir el tiempo del ciclo: n/a. Alimentación de tensión: 4.5-5.5V. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. Tipo de montaje: SMD. Vivienda: SO8. Información: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Tipo de memoria: FRAM. Interfaz: I2C. Frecuencia de reloj: n/a. Tiempo de acceso: n/a. Escribir el tiempo del ciclo: n/a. Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. Tipo de montaje: SMD. Vivienda: SO8. Características: n/a. Información: n/a. MSL: n/a