Corriente continua máxima: 110mA. Dimensiones: 11x13mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Tecnología de proceso MirrorBit. Vivienda: BGA. Vivienda (según ficha técnica): Matriz de rejilla de bolas fortificada LAA064 . Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Tensión de alimentación: 4 v. Nota: lowest address sector protected. Nota: Page Mode Flash Memory featuring. Número de terminales: 64
Corriente continua máxima: 110mA. Dimensiones: 11x13mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Tecnología de proceso MirrorBit. Vivienda: BGA. Vivienda (según ficha técnica): Matriz de rejilla de bolas fortificada LAA064 . Temperatura de funcionamiento: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Tensión de alimentación: 4 v. Nota: lowest address sector protected. Nota: Page Mode Flash Memory featuring. Número de terminales: 64
Nota: 2.5V...5.5V. Nota: Dual Mode Serial Eeprom. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: ...
Nota: 2.5V...5.5V. Nota: Dual Mode Serial Eeprom. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8
Nota: 2.5V...5.5V. Nota: Dual Mode Serial Eeprom. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8
RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivi...
RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP24S. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 24. Tipo de memoria: Dualport RAM. Familia de circuitos de memoria: uPD41. Tamaño de memoria [byte]: 256 Kbit. Configuración de memoria: 256K x 1-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 120ns. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V
RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP24S. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 24. Tipo de memoria: Dualport RAM. Familia de circuitos de memoria: uPD41. Tamaño de memoria [byte]: 256 Kbit. Configuración de memoria: 256K x 1-bit. Tipo de interfaz: Paralelo. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Señal de reloj máxima (MHz): 120ns. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V
Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda...
Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Nota: SAMSUNG
Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Nota: SAMSUNG