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Vishay
Vishay SI2307CDS-T1-GE3 MOSFET de Canal P -30V 2.7A SOT-23
Referencia del producto : SI2307CDS-T1-GE3
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Especificaciones técnicas
6 parámetros| Parámetro | Valor |
| Tipo | MOSFET |
| Tensión | -30 V |
| Corriente | 2.7 A |
| Encapsulado | SOT-23 |
| Resistencia (RDSon) | 0.088 Ohm |
Descripción técnica del producto (SI2307CDS-T1-GE3):
El SI2307CDS-T1-GE3 es un MOSFET de Canal P de alto rendimiento fabricado por Vishay. Este P-POWERFET presenta -30V, 2.7A y una RDSon de 0.088 Ohm en un encapsulado SOT-23. Es adecuado para gestión de energía, convertidores DC-DC y aplicaciones de control de motor. Encapsulado en un SOT-23.<br><br>