Yangjie Electronic Technology 1-5KE33CA Diodo TVS 1500W 33V Bidireccional DO-27 THT
| Cantidad | Precio unitario | Ahorrar |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.64 € | — |
| 30 – 99 | 0.34 € | -47% |
| 100 – 199 | 0.30 € | -53% |
| 200 – 499 | 0.27 € | -58% |
| 500 – 1249 | 0.25 € | -61% |
| 1250+Mejor precio | 0.24 € | -63% |
Descripción técnica del producto (1-5KE33CA):
Disipación de potencia pico: 1500W. RoHS: sí. Estructura: bidireccional. Tensión de ruptura: 33V. Tensión inversa de seguridad: 28.2V. Número de terminales: 2. Tolerancia: 5%. Encapsulado: DO-27. Tensión de mantenimiento en sentido inverso [V]: 28.2V. Corriente de impulso máxima: 33.3A. Montaje/instalación: montaje pasante para placa de circuito impreso. Serie: 1.5KE. Configuración: montaje pasante para placa de circuito impreso. Disipación máxima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 1500 W @ 1ms. Función: protección contra sobretensiones. Temperatura máxima: +175°C. Tipo de supresor transitorio: bidireccional. Potencia: 1.5kW. Tensión de ruptura (Mín): 31.4V. Tensión umbral Vf (mín): 3.5V. Tensión umbral Vf (máx): 5V. Estructura dieléctrica: bidireccional. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga: 1uA. Propiedades de los elementos semiconductores: pasivado con vidrio. Tipo de diodo: TVS. Corriente de impulso pico (10/1000us): 33A. Disipación de potencia máxima: 1.5 kW. Corriente de fuga inversa Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Estructura semiconductora: bidireccional. IFSM: 200A. Material semiconductor: silicio. Ubr [V] @ Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Tensión inversa máxima: 28.2V.