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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJB110G10B MOSFET de Potencia de Canal N 100V 110A Rds(on) 0.0052 Ohm
Referencia del producto : YJB110G10B
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Especificaciones técnicas
6 parámetros| Parámetro | Valor |
| Tipo | MOSFET |
| Voltaje | 100 V |
| Corriente | 110.0 A |
| Paquete | TO-263 |
| Resistencia (RDSon) | 0.0052 Ohm |
Descripción técnica del producto (YJB110G10B):
El YJB110G10B es un MOSFET de alto rendimiento fabricado por Yangjie Electronic Technology. Este (YET) N-POWERFET cuenta con 100V, 110A y una Rds(on) de 0.0052 Ohm, encapsulado en un paquete TO-263 (D2PAK). Es adecuado para gestión de energía, convertidores DC-DC y aplicaciones de accionamiento de motor.<br><br>