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Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJD2065200NCTGH MOSFET de Canal N SiC 650V 18.5A TO-247
Referencia del producto : YJD2065200NCTGH
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Especificaciones técnicas
6 parámetros| Parámetro | Valor |
| Tipo | MOSFET de Canal N |
| Tensión | 650 V |
| Corriente | 18.5 A |
| Paquete | TO-247 |
| Resistencia (RDSon) | 0.200 Ohm |
Descripción técnica del producto (YJD2065200NCTGH):
El Yangjie Electronic Technology YJD2065200NCTGH es un MOSFET de canal N de SiC de alto rendimiento. Presenta 650V, 18.5A, Rds < 0.200 Ohm y 105W. Es adecuado para gestión de energía, convertidores DC-DC y aplicaciones de control de motor. Encapsulado en un paquete TO-247.<br><br>