Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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1SS133

1SS133
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1 - 2 0.76€ 0.92€
3 - 4 0.72€ 0.87€
5 - 9 0.68€ 0.82€
10 - 19 0.67€ 0.81€
20 - 49 0.59€ 0.71€
50 - 99 0.57€ 0.69€
100 - 118 0.50€ 0.61€
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1SS133. Corriente directa (AV): 130mA. IFSM: 400mA. Vivienda: DO-34 ( SOD68 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-34. VRRM: 80V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 0.5uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Producto original del fabricante ROHM. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 02:25.

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Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de alta velocidad. Otro nombre: IN4148. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V
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Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de alta velocidad. Otro nombre: IN4148. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V
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