Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS

Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS
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10 - 24 0.34€ 0.41€
25 - 49 0.33€ 0.40€
50 - 87 0.32€ 0.39€
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Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS. Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 60pF. Costo): 25pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 0.5A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 2n7000. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 10 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Producto original del fabricante Diotec Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 11:25.

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Transistor de canal N, TO-92, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Vivienda: TO-92. DI (T=25°C): 0.5A....
BS170
Transistor de canal N, TO-92, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Vivienda: TO-92. DI (T=25°C): 0.5A. Idss (máx.): 10nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. C(pulg): 24pF. Costo): 40pF. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1.2A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: BS170. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo, Pequeñas señales. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V
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Transistor de canal N, TO-92, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Vivienda: TO-92. DI (T=25°C): 0.5A. Idss (máx.): 10nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. C(pulg): 24pF. Costo): 40pF. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1.2A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: BS170. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo, Pequeñas señales. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V
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Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (mÃ...
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Transistor de canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): O-92Ammo-Pack. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 60pF. Costo): 25pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 0.5A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 2n7000. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Peso: 0.18g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 10 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V
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