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Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - 2SC2412

Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - 2SC2412
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Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - 2SC2412. Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Material semiconductor: silicio. FT: 180 MHz. Ganancia máxima de hFE: 390. Ganancia mínima de hFE: 180. Marcado en la caja: BQ. Temperatura: +155°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 400mV. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD BQ. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1037. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 24/04/2025, 04:25.

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Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23...
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Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: serigrafía/código SMD 1F
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Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Cantidad por caja: 1. Spec info: serigrafía/código SMD 1F
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