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Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A. Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. Marcado en la caja: C3886A. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Velocidad: 5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: MONITOR. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 16:25.

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Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1.7 MHz. Función: High Switching, Horizontal Deflection out. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 4.3. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: C5386. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res
2SC5386
Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1.7 MHz. Función: High Switching, Horizontal Deflection out. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 4.3. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: C5386. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res
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Transistor NPN, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-399. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. FT: 64kHz. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 25A. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de potencia de silicio. Tf(máx.): 0.25us. Tf(mín.): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 13.5V. Número de terminales: 3. Función: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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FJAF6810A

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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 750V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 20A. Marcado en la caja: J6810A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación de alta velocidad. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 750V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 20A. Marcado en la caja: J6810A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación de alta velocidad. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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