Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD880-PMC

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD880-PMC
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V - 2SD880-PMC. Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 11:25.

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BD243C-STM

BD243C-STM

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (se...
BD243C-STM
Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistor de potencia complementario. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementario (par) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD243C-STM
Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistor de potencia complementario. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementario (par) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BD243CG

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Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Volt...
BD243CG
Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 65W. Frecuencia máxima: 3MHz. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V
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Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 65W. Frecuencia máxima: 3MHz. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V
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BD243C-CDIL

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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (se...
BD243C-CDIL
Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistor de potencia complementario. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementario (par) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistor de potencia complementario. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementario (par) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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