Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220 - BD243CG

Transistor NPN, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220 - BD243CG
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1 - 4 1.49€ 1.80€
5 - 9 1.42€ 1.72€
10 - 24 1.37€ 1.66€
25 - 49 1.34€ 1.62€
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Transistor NPN, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220 - BD243CG. Transistor NPN, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V, TO220. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Vivienda: TO220. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Polaridad: NPN. Potencia: 65W. Tipo: Potencia. Voltaje de base coleccionista VCBO: 100V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ancho de banda MHz: 3MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 15. Corriente máxima 1: 6A. Max, Voltaje IGBT VRSM: 3 MHz. Información: NF-L. Serie: BD. MSL: 10A. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 01/07/2025, 19:25.

Documentación técnica

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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (...
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP42C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP42C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V
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