Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK2545

Transistor de canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK2545
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1 - 4 2.41€ 2.92€
5 - 9 2.29€ 2.77€
10 - 24 2.17€ 2.63€
25 - 30 2.05€ 2.48€
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Transistor de canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK2545. Transistor de canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: K2545. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 45 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.

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Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 900pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10nA. Marcado en la caja: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 900pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10nA. Marcado en la caja: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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