Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V - STP9NK90Z

Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V - STP9NK90Z
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5 - 9 3.73€ 4.51€
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Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V - STP9NK90Z. Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 04:25.

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Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25Â...
STF9NK90Z
Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220FP. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: F9NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí
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Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220FP. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: F9NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí
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