Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3561

Transistor de canal N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3561
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1 - 4 2.53€ 3.06€
5 - 9 2.40€ 2.90€
10 - 24 2.33€ 2.82€
25 - 35 2.28€ 2.76€
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Transistor de canal N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3561. Transistor de canal N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 32A. Marcado en la caja: K3561. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 26 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 18:25.

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Transistor de canal N, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1300pF. Costo): 200pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 340 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: diodo. Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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