Advanced Power AP4506GEH MOSFET de Potencia Dual N&P-Canal 30V 9A/8A D-PAK SMD

Descripción técnica del producto (AP4506GEH):

Transistor N&P-MOSFET Dual AP4506GEH. Tipo de canal: N-P. Cantidad por encapsulado: 2 unidades. Info1: Rds(on) N::0.024R P::0.036R. Info2: ID(AV)::N::9A P::8A. Info3: Vdss::N::30V P::-30V. Número de pines: 4 unidades. Disipación de potencia (Pd): 3.1 W. ROHS: Sí. Montaje: Montaje superficial (SMD). Tecnología: N&P PowerTrench MOSFET. Encapsulado: D-PAK (TO-252). Encapsulado (según hoja de datos): TO-252-4L (DPAK) (SOT428). Temperatura de funcionamiento: -55...+150 °C.