Advanced Power AP4525GEM MOSFET Complementario Dual N&P-Canal SO-8 SMD 2W

Descripción técnica del producto (AP4525GEM):

Información de especificación: 0.028 Ohms y 0.042 Ohms. Encapsulado: SO. Número de conexiones: 8. Montaje/instalación: Componente de montaje superficial (SMD). Tipo de canal: N-P. Encapsulado (según hoja de datos): SO-8. Función: Par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Cantidad por encapsulado: 2. Disipación de potencia máxima: 2W.