Advanced Power AP9971GI MOSFET de Potencia de Canal N 60V 23A TO-220

Descripción técnica del producto (AP9971GI):

MOSFET de potencia de canal N Advanced Power AP9971GI. Tensión máxima Drain-Source Vds(max): 60V. Corriente de fuga Drain-Source máxima Idss: 25uA. Corriente de Drain Id (T=25°C): 23A. Corriente de Drain Id (T=100°C): 14A. Resistencia en estado activo Rds On: 0.036 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220CFM. Encapsulado: TO-220. Conforme a RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Número de conexiones: 3. Montaje/Instalación: montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Tecnología: MOSFET de potencia de modo de mejora. Protección Gate-Source: NO. Tiempo de retardo de apagado Td(off): 26 ns. Corriente de fuga Drain-Source mínima Idss: 10uA. Tiempo de retardo de encendido Td(on): 9 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 80A. Tensión mínima de umbral Gate-Source Vgs(th): 1V. Capacitancia de entrada C(in): 1700pF. Capacitancia de salida C(out): 160pF. Tiempo mínimo de recuperación inversa del diodo Trr: 37 ns. Disipación de potencia máxima: 31.3W. Embalaje: tubo de plástico. Protección Drain-Source: diodo. Tensión Gate-Source Vgs: 20V. Unidad de embalaje: 50.