Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V - AP9962GH

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1 - 4 1.25€ 1.51€
5 - 9 1.19€ 1.44€
10 - 24 1.12€ 1.36€
25 - 49 1.06€ 1.28€
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Transistor de canal N, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V - AP9962GH. Transistor de canal N, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 1170pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación Rápida, Inversores, Fuentes de Alimentación. Identificación (diablillo): 150A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 9962GH. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 27.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 8 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 02:25.

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Transistor de canal N, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 15.2A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.085 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2500. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 22 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 100A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: FDD8447L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 44W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Power Trench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: Conmutación Rápida, Inversores, Fuentes de Alimentación. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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