Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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B500C5000A

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1 - 4 1.68€ 2.03€
5 - 9 1.59€ 1.92€
10 - 24 1.51€ 1.83€
25 - 35 1.42€ 1.72€
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B500C5000A. VRRM: 500V. Corriente directa (AV): 5A. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 30A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: C5000/3300A, RS505. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Vivienda (según ficha técnica): 40x21.7x6.5mm. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.

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Vrms: 500V. Corriente directa (AV): 7A. IFSM: 150A. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Vivienda (según ficha técnica): 32x17x5.6mm. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V
B500C7000A
Vrms: 500V. Corriente directa (AV): 7A. IFSM: 150A. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Vivienda (según ficha técnica): 32x17x5.6mm. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V
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VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 6A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 200A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: KBU6J, KBU606, RS605. Paso: 5.08x5.08mm. Dimensiones: 23x19x6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
KBU6J
VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 6A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 200A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: KBU6J, KBU606, RS605. Paso: 5.08x5.08mm. Dimensiones: 23x19x6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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